濺射鍍膜是在真空室中用高能粒子轟擊靶表面的技術(shù)。靶中的原子和其他粒子被粒子的動(dòng)量轉(zhuǎn)移擊落，并沉淀在襯底上形成薄膜。該工藝具有濺射面積小、濺射材料可控性強(qiáng)、濺射速度快等優(yōu)點(diǎn)。因此，近年來(lái)得到了迅速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。

濺射技術(shù)中的沉積方法有很多種，如直流雙極濺射、三極（或四極）濺射和磁控濺射。

1、雙極濺射

雙極濺射是早和相對(duì)簡(jiǎn)單的基本濺射方法。

該裝置由陰極和陽(yáng)極組成。采用薄膜材料（導(dǎo)體）制成的靶作為陰極，工件框架作為陽(yáng)極（接地）。兩極之間的距離通常在幾厘米到十厘米之間。當(dāng)真空室中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定值時(shí)，兩電極之間發(fā)生異常輝光放電。加速等離子體中的Ar+離子轟擊陰極靶，靶原子沉積在襯底上形成薄膜。

采用射頻電源作為靶陰極電源，可以制作雙極射頻濺射裝置，用磁控管濺射絕緣材料。

2、三極管濺射

雙極濺射雖然方法簡(jiǎn)單，但放電不穩(wěn)定，沉積速率低。為了提高濺射速率和薄膜質(zhì)量，在雙極濺射裝置的基礎(chǔ)上，加入加熱陰極制備了三極管濺射裝置。

通過(guò)改變電子發(fā)射電流和加速電壓可以控制等離子體密度。靶電壓可以控制靶的離子轟擊能量，解決偶極濺射中靶電壓、靶電流和靶電壓之間的矛盾。

三極管濺射的缺點(diǎn)是等離子體密度不均勻，放電不穩(wěn)定，薄膜厚度不均勻。為此，在三極濺射的基礎(chǔ)上增加輔助陽(yáng)極，形成四極濺射。

以上是關(guān)于磁控濺射濺射方法的相關(guān)內(nèi)容，想知道其他信息可以參考我們，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)。