電阻蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備鍍膜技術(shù)，是日常最為普遍，也最為簡(jiǎn)單的鍍膜技術(shù)，如鍍AL，氟化鎂，硫化鋅等材料，膜層要求不高，都采用電阻蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備鍍制，因其設(shè)備價(jià)格便宜，產(chǎn)能高，效率快，工藝簡(jiǎn)單，因此類型設(shè)備應(yīng)用非常普遍，也廣受歡迎，

       電阻蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備主要由真空室和抽真空系統(tǒng)組成，真空室內(nèi)有蒸發(fā)源(即蒸發(fā)加熱器)、基片及基片架、基片加熱器、排氣系統(tǒng)等。將鍍膜材料置于真空室內(nèi)的蒸發(fā)源中，在高真空條件下，通過蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā)，當(dāng)蒸氣分子的平均自由程大于真空室的線性尺寸以后，膜材蒸氣的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的碰撞與阻礙，可直接到達(dá)被鍍的基片表面上，由于基片溫度較低，膜材蒸氣粒子凝結(jié)其上而成膜。

為了提高蒸發(fā)分子與基片的附著力，可以對(duì)基片進(jìn)行適當(dāng)?shù)募訜峄螂x子清洗使其活化。真空蒸發(fā)鍍膜從物料蒸發(fā)、運(yùn)輸?shù)匠练e成膜，經(jīng)歷的物理過程如下:

(1)利用各種方式將其他形式的能量轉(zhuǎn)換成熱能，加熱膜材使之蒸發(fā)或升華，成為具有一定能量(0.1~0.3eV)的氣態(tài)粒子(原子、分子或原子團(tuán)):

(2)氣態(tài)粒子離開膜材表面，以相當(dāng)?shù)倪\(yùn)動(dòng)速度基本上無碰撞的直線輸運(yùn)到基片表面;

(3)到達(dá)基片表面的氣態(tài)粒子凝聚形核后生長(zhǎng)成固相薄膜;

(4)組成薄膜的原子重組排列或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。

       電阻加熱蒸發(fā)電阻加熱蒸發(fā)方式是最簡(jiǎn)單也最常用加熱方法，一般適用于熔點(diǎn)低于1500℃的鍍膜材料，通常將線狀或片狀的高熔點(diǎn)金屬(W、Mo、Ti、Ta、氨化硼等)做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，裝上蒸鍍材料，通過電流的焦耳熱使鍍料熔化、蒸發(fā)或者升華，蒸發(fā)源的形狀主要有多股線螺旋形、U形、正弦波形、薄板形、舟形、圓錐筐形等。同時(shí)，該方法要求蒸發(fā)源材料具有熔點(diǎn)高:飽和蒸氣壓低:化學(xué)性能穩(wěn)定，在高溫下不應(yīng)與鍍膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng):具有良好的耐熱性，功率密度變化小等特點(diǎn)，采用大電流通過蒸發(fā)源使之發(fā)熱，對(duì)膜材直接加熱蒸發(fā),或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物(如A202，BO)等材料制成的坩堝中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。

       電阻蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備鍍制膜層具有局限性，難熔金屬具有低的蒸氣壓，難以制成薄膜:有此元素容易和加熱絲形成合金:不易得到成分均勻的合金膜。由于電阻加熱蒸發(fā)方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、易于操作，因而是一種應(yīng)用很普遍的蒸發(fā)方式。