一、鍍膜工藝原理介紹

PVD真空鍍膜是將鈦、金、石墨、晶體等金屬或非金屬、氣體等材料在真空中濺射、蒸發(fā)或離子鍍?cè)诨w上的一種表面處理工藝。與傳統(tǒng)的化學(xué)鍍膜方法相比，真空鍍膜具有許多優(yōu)點(diǎn)，如對(duì)環(huán)境無(wú)污染，是一種綠色環(huán)保工藝；對(duì)操作者無(wú)傷害；漆膜牢固、致密、耐腐蝕、厚度均勻。真空鍍膜技術(shù)中常用的方法有蒸發(fā)鍍膜（包括電弧蒸發(fā)、電子槍蒸發(fā)、電阻絲蒸發(fā)等）和濺射鍍膜（包括直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻濺射等），統(tǒng)稱(chēng)為物理氣相沉積（PVD）。

相應(yīng)的化學(xué)氣相沉積（CVD）被稱(chēng)為CVD技術(shù)。工業(yè)上通常稱(chēng)為“IP”（離子鍍）離子鍍膜，因?yàn)樵赑VD工藝技術(shù)中，多種氣體離子和金屬離子參與成膜過(guò)程并發(fā)揮重要作用，為強(qiáng)調(diào)離子的作用，統(tǒng)稱(chēng)為離子鍍膜。

真空鍍膜是一種制備薄膜材料的技術(shù)。在真空室中，材料的原子與熱源分離，并撞擊待鍍物體的表面。利用掩模技術(shù)在光盤(pán)上制備鋁膜，在印刷電路板上制備金屬膜。薄膜是在真空中制備的，包括晶體金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或復(fù)合薄膜的鍍膜。雖然CVD也采用減壓、低壓或等離子等真空方法，但真空鍍膜一般是指通過(guò)物理方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。蒸發(fā)鍍膜是通過(guò)加熱和蒸發(fā)使物質(zhì)沉積在固體表面的一種鍍膜。